Высказывания: Нас постоянно пытаются загнать в какой то угол, за то, что мы имеем независимую позицию, за то что её отстаиваем, за то что называем вещи своими именами и не лицемерим. Россия оказалась на рубеже от которого не могла уже отступить. Если до упора сжимать пружину она когда-нибудь с силой разожмётся. Надо помнить об этом всегда. Путин В.В.
Основные параметры транзистора TED1402C биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора TED1402C . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
400mW
60V
50V
5V
150mA
150°C
175MHz
1.9
202MIN
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TED1402C
Общий вид транзистора TED1402C.
Цоколевка транзистора TED1402C.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.