Параметры транзистора TIP73C. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2019 С Днем Победы!!!...

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...







Высказывания:
Многие дела нашей партии и народа, будут извращены и оплёваны прежде всего за рубежом, да и в нашей стране тоже. Сионизм, рвущийся к мировому господству, будет жестоко мстить нам за наши успехи и достижения. Он всё ещё рассматривает Россию как варварскую страну, как сырьевой придаток. И имя моё тоже будет оболгано, оклеветано. Мне припишут множество злодеяний.
Мировой сионизм всеми силами будет стремиться уничтожить наш Союз, что бы Россия больше никогда не могла подняться. Сила СССР - в дружбе народов. Остриё борьбы будет направлено прежде всего на разрыв этой дружбы, на отрыв окраин от России. Здесь, надо признаться, мы ещё не всё зделали. Здесь ещё большое поле работы.
С особой силой поднимет голову национализм. Он на какое то время придавит интернационализм и патриотизм, только на какое - то время. Возникнут национальнве группы внутри наций и конфликты. Появится много вождей - пигмеев, предателей внутри своих наций. В целом в будущем развитие пойдёт более сложными и даже бешеными путями, повороты будут предельно крутыми. Дело идёт к тому, что особенно взбударажится Восток. Возникнут острые противоречия с Западом.
И всё же, как бы ни развивались события, но пройдёт время, и взоры новых поколений будут обращены к делам и победам нашего социалистического Отечества. Год за годом будут приходить новые поколения. Они вновь подымут знамя своих отцов и дедов и отдадут нам должное сполна.
Своё будущее они будут строить на нашем прошлом.
Сталин И.В. Из записи беседы с А. Коллонтай




Основные параметры транзистора TIP73C биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP73C . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
32W110V100V5V15A150°C5MHz -20/150

Производитель: TI
Сфера применения: Power, General Purpose
Популярность: 871
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора TIP73C

Общий вид транзистора TIP73C.Цоколевка транзистора TIP73C.
Общий вид транзистора TIP73C Цоколевка транзистора TIP73C

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора TIP73C
Где купить транзистор TIP73C?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора TIP73C.

Вы знаете больше о транзисторе TIP73C, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора TIP73C.
Добавить рисунок транзистора TIP73C.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора TIP73C.


Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2019. Параметры транзисторов. 7528.