Параметры полевого транзистора KP101E (КП101Е). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Есть произведения, которые создаются своей аудиторией. Другие - сами создают свою аудиторию.
Поль Валери



Основные параметры KP101E (КП101Е) полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального KP101E (КП101Е). Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: P-Channel
Структура (технология): FET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
50mW10V10V5V5mA150°C- 10pF-

Производитель: RUSSIA
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора KP101E (КП101Е)

Общий вид транзистора KP101E (КП101Е).Цоколевка транзистора KP101E (КП101Е).
Общий вид транзистора KP101E (КП101Е) Цоколевка транзистора KP101E (КП101Е)

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора KP101E (КП101Е)





Коллективный разум. Дополнения для транзистора KP101E (КП101Е).

Вы знаете больше о транзисторе KP101E (КП101Е), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора KP101E (КП101Е).
Добавить рисунок транзистора KP101E (КП101Е).
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора KP101E (КП101Е).

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru