Высказывания:
В каждой системе существует собственный способ расходования безбрежного количества бумаги: в одной заполняются гигантские формы отчетности в четырех экземплярах, в другой - расклеиваются огромные рекламы и каждый пустяк заворачивается в четырехслойные пакеты.
Наблюдение относительно потребления бумаги, сделанное Иссави
Основные параметры 2N6782JANTXV полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального 2N6782JANTXV. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
15W
100V
-
±20V
3.5A
150°C
15/25nS
200pF
0.6
Производитель: SEMELAB Сфера применения: Power MOSFET Популярность: 890 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N6782JANTXV
Общий вид транзистора 2N6782JANTXV.
Цоколевка транзистора 2N6782JANTXV.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
