Высказывания:
Нет ничего невозможного. Одни законы можно нарушить, другие - обойти.
Основные параметры 2SJ128 полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального 2SJ128. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Структура (технология): FET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
20W
100V
-
-
±2A
150°C
-
-
1.1
Производитель: NEC Сфера применения: Power FET Switching Популярность: 1057 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SJ128
Общий вид транзистора 2SJ128.
Цоколевка транзистора 2SJ128.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
