Высказывания: Разлука для любви - то же, что ветер для огня: маленькую любовь она тушит, а большую раздувает еще сильнее. /А.И.Куприн/
Основные параметры APT1201R6BVR полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального APT1201R6BVR. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
280W
1200V
-
-
8A
150°C
-
3050
1.600
Производитель: Advanced Power Сфера применения: Avalanche Energy Rated MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора APT1201R6BVR
Общий вид транзистора APT1201R6BVR.
Цоколевка транзистора APT1201R6BVR.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.