Высказывания: Большая система, образованная увеличением размеров меньшей, ведет себя совсем не так, как ее предшественница. Теорема о неаддитивности поведения систем
Основные параметры HUF75631P3 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального HUF75631P3. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
-
100V
-
-
33A
150°C
-
-
0.040
Производитель: INTERSIL Сфера применения: UltraFET Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HUF75631P3
Общий вид транзистора HUF75631P3.
Цоколевка транзистора HUF75631P3.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.