Параметры полевого транзистора RFP8P10. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...







Высказывания:
Если сомневаетесь в прогнозе, говорите, что данная тенденция будет иметь место и в следующем периоде.





Основные параметры RFP8P10 полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RFP8P10. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
-100V--8 A150°C- -0.400

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: Power MOSFET
Популярность: 350
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора RFP8P10

Общий вид транзистора RFP8P10.Цоколевка транзистора RFP8P10.
Общий вид транзистора RFP8P10 Цоколевка транзистора RFP8P10

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора RFP8P10

Коллективный разум. Дополнения для транзистора RFP8P10.

Вы знаете больше о транзисторе RFP8P10, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора RFP8P10.
Добавить рисунок транзистора RFP8P10.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора RFP8P10.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7526.