Высказывания: Признательность народная скоро сообщается и любит выражаться в громких восклицаниях; одна ненависть скрытна и молчалива. Лажечников Иван Иванович
Основные параметры FDG6304P полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального FDG6304P. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
0.3W
25V
-
-
0.41A
150°C
-
-
1.1
Производитель: FAIRCHILD Сфера применения: Dual Surface-Mount Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDG6304P
Общий вид транзистора FDG6304P.
Цоколевка транзистора FDG6304P.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.