Высказывания:
Какую бы чушь ты не нес, в ней всегда есть крупица правды. Горькой правды.
Сальвадор Дали
Основные параметры 2N6768JANTXV полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального 2N6768JANTXV. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
150W
400V
-
400V
14A
150°C
65/75nS
3000pF
0.03
Производитель: N/A Сфера применения: Power MOSFET Популярность: 648 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N6768JANTXV
Общий вид транзистора 2N6768JANTXV.
Цоколевка транзистора 2N6768JANTXV.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
