Юмор: 2.Hа pаботе всегда выкладывайтесь на 100%!//12% в понедельник, 23% во втоpник, 40% в сpеду, 20% в четвеpг и 5% в пятницу!
Основные параметры FDC655AN полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального FDC655AN. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
1.6W
30V
-
-
6.3A
150°C
9nS
-
0.027
Производитель: FAIRCHILD Сфера применения: Single PWM Optimized PowerTrench MO Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDC655AN
Общий вид транзистора FDC655AN.
Цоколевка транзистора FDC655AN.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.