Высказывания: Творческая личность подчиняется иному, более высокому закону, чем закон простого долга. Для того, кто призван совершить великое деяние, осуществить открытие или подвиг, двигающий вперед все человечество, для того подлинной родиной является уже не его отечество, а его деяние. Он ощущает себя ответственным в конечном счете только перед одной инстанцией - перед той задачей, которую ему предназначено решить, и он скорее позволит себе презреть государственные и временные интересы, чем то внутреннее обязательство, которое возложили на него его особая судьба, особое дарование. Стефан Цвейг.
Основные параметры IRFN9140SMD полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRFN9140SMD. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
75W
100V
100V
±20V
14A
150°C
35/85nS
1400pF
0.02
Производитель: SEMELAB Сфера применения: POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFN9140SMD
Общий вид транзистора IRFN9140SMD.
Цоколевка транзистора IRFN9140SMD.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.