Высказывания: Если вы однажды что-то сделали правильно, то кто-нибудь обязательно попросит вас сделать это еще раз.
Основные параметры RFD12N06RLESM полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального RFD12N06RLESM. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
40W
60V
60V
-5/+10V
12A
150°C
12/24 nS
-
0.135
Производитель: INTERSIL Сфера применения: Logic Level. Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RFD12N06RLESM
Общий вид транзистора RFD12N06RLESM.
Цоколевка транзистора RFD12N06RLESM.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.