Высказывания: В области исследований и разработок из трех параметров лишь два можно определить одновременно. 1.Если заданы цель и время для ее достижения, то нельзя угадать, сколько это будет стоить. 2.Если ограничены время и ресурсы, невозможно предсказать, какая часть задания будет выполнена. 3.Если четко ставится цель исследований и выделяется конкретная сумма денег, то нельзя предсказать, когда эта цель будет достигнута. 4.Если же вам повезет и вы сможете точно определить цель, время и стоимость, значит, вы имеете дело не с исследованиями и разработками! Расширенный принцип Энштейна-Гейзенберга
Основные параметры FSL9130R полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального FSL9130R. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
-
100V
-
-
5A
150°C
-
-
0.680
Производитель: INTERSIL Сфера применения: Rad Hard. SEGR Resistant. Power MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FSL9130R
Общий вид транзистора FSL9130R.
Цоколевка транзистора FSL9130R.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.