Параметры полевого транзистора 2SJ483. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Пословицы и поговорки:
На то в озере и щука, чтобы карась не дремал.





Основные параметры 2SJ483 полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального 2SJ483. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
900mW30V-±20V5A150°C- 630pF0.12

Производитель: HITACHI
Сфера применения: Trough-Hole MOSFET
Популярность: 497
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SJ483

Общий вид транзистора 2SJ483.Цоколевка транзистора 2SJ483.
Общий вид транзистора 2SJ483 Цоколевка транзистора 2SJ483

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора 2SJ483

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SJ483.

Вы знаете больше о транзисторе 2SJ483, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SJ483.
Добавить рисунок транзистора 2SJ483.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SJ483.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7525.