Мысли и афоризмы: 'Зачем, - говорит эгоист, - стану я работать для потомства, когда оно ровно ничего для меня не сделало?' - Несправедлив ты, безумец! Потомство сделало для тебя уже то, что ты, сближая прошедшее с настоящим, можешь считать себя по произволу - младенцем, юношей и старцем. Козьма Прутков.
Основные параметры RFD4N06L полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального RFD4N06L. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
-
60V
-
-
4A
150°C
-
-
0.600
Производитель: INTERSIL Сфера применения: Logic Level. Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RFD4N06L
Общий вид транзистора RFD4N06L.
Цоколевка транзистора RFD4N06L.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.