Параметры полевого транзистора RFT1P06E. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...







Теперь тебе не до стихов...:

Теперь тебе не до стихов,
О слово русское, родное!
Созрела жатва, жнец готов,
Настало время неземное...

Ложь воплотилася в булат;
Каким-то Божьим попущеньем
Не целый мiр, но целый ад
Тебе грозит ниспроверженьем...

Все богохульные умы,
Все богомерзкие народы
Со дна воздвиглись царства тьмы
Во имя света и свободы!...

Тебе они готовят плен,
Тебе пророчат посрамленье, –
Ты – лучших, будущих времен
Глагол, и жизнь, и просвещенье!

О, в этом испытаньи строгом,
В последней роковой борьбе
Не измени же ты себе
И оправдайся перед Богом...

Тютчев Ф.И., 24 октября 1854




Основные параметры RFT1P06E полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RFT1P06E. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
-60V--1.4A150°C- -0.285

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: ESD Rated. P-Channel Power MOSFET
Популярность: 22
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора RFT1P06E

Общий вид транзистора RFT1P06E.Цоколевка транзистора RFT1P06E.
Общий вид транзистора RFT1P06E Цоколевка транзистора RFT1P06E

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора RFT1P06E

Коллективный разум. Дополнения для транзистора RFT1P06E.

Вы знаете больше о транзисторе RFT1P06E, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора RFT1P06E.
Добавить рисунок транзистора RFT1P06E.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора RFT1P06E.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7526.