Высказывания: Проект примут только когда никого из членов комиссии нельзя будет обвинить в случае провала, но зато при успехе все смогут претендовать на поощрение.
Основные параметры IRFP150N полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFP150N. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
160W
100V
100V
±20V
39A
175°C
11/45nS
1900pF
0.036
Производитель: IRF Сфера применения: HEXFET Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFP150N
Общий вид транзистора IRFP150N.
Цоколевка транзистора IRFP150N.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
