Высказывания:
Сопереживать страданиям друга может всякий, а вот успехам - лишь натура необычайно тонкая.
Оскар Уайльд
Основные параметры транзистора 1MBC10D-060 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора 1MBC10D-060 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
75W
600V
3V
-
±20V
20A
150°C
1.2/1µS
-
Производитель: FUJI Сфера применения: Molded Package IGBT Популярность: 506 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 1MBC10D-060
Общий вид транзистора 1MBC10D-060.
Цоколевка транзистора 1MBC10D-060.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
