Мысли и афоризмы: Всякий необходимо причиняет пользу, употребленный на своем месте. Так, упражнения лучшего танцмейстера в химии - бесполезны, советы опытного астронома в танцах - глупы. Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора IXGM25N100A (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGM25N100A с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
1000V
-
-
-
50A
175°C
500nS
-
Производитель: IXYS Сфера применения: HIGH SPEED TYPES Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGM25N100A
Общий вид транзистора IXGM25N100A.
Цоколевка транзистора IXGM25N100A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.