Высказывания:
Наверху собираются сливки. И пена тоже.
Основные параметры транзистора 1MBC03-120 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора 1MBC03-120 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
70W
1200V
3.5V
-
±20V
5A
150°C
1.2/1.5µS
-
Производитель: FUJI Сфера применения: Molded Package IGBT Популярность: 349 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 1MBC03-120
Общий вид транзистора 1MBC03-120.
Цоколевка транзистора 1MBC03-120.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
