Биполярный транзистор 1MBH25D-120 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Высказывания:
Нет вражды страшнее, чем та, которая возникает, когда сходное борется со сходным, побуждаемое одинаковыми стремлениями и одинаковой силой.
Стефан Цвейг.




Основные параметры транзистора 1MBH25D-120 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора 1MBH25D-120 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
310W1200V3.5V-±20V38A150°C1.2/1.5µS -

Производитель: FUJI
Сфера применения: Molded Package IGBT
Популярность: 318
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 1MBH25D-120

Общий вид транзистора 1MBH25D-120.Цоколевка транзистора 1MBH25D-120.
Общий вид транзистора 1MBH25D-120 Цоколевка транзистора 1MBH25D-120

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора 1MBH25D-120

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 1MBH25D-120.

Вы знаете больше о транзисторе 1MBH25D-120, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 1MBH25D-120.
Добавить рисунок транзистора 1MBH25D-120.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 1MBH25D-120.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7525.