Биполярный транзистор 10N50F1D с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Высказывания:
Усложнять - просто, упрощать - сложно.





Основные параметры транзистора 10N50F1D (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора 10N50F1D с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
75W500V2.5V500V±20V12A150°C45/130nS -

Производитель: HARRIS
Сфера применения: IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
Популярность: 191
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 10N50F1D

Общий вид транзистора 10N50F1D.Цоколевка транзистора 10N50F1D.
Общий вид транзистора 10N50F1D Цоколевка транзистора 10N50F1D

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора 10N50F1D

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 10N50F1D.

Вы знаете больше о транзисторе 10N50F1D, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 10N50F1D.
Добавить рисунок транзистора 10N50F1D.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 10N50F1D.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

(C) 2008-2017 Параметры транзисторов. 7525.