Биполярный транзистор HGTP12N60D1 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
- Ты меня любишь?
- Угу
- Ну что значит угу?
- Люблю-люблю!
- А почему ты говоришь так, будто хочешь отделаться?
- В смысле?
- Ну что значит люблю-люблю?
- А что это по-твоему значит?
- По-моему это значит – отвали...
- Я не понимаю, что ты хочешь?
- Чтобы ты сказал 'люблю'.
- Но я сказал 'люблю' даже два раза.
- Ты не так сказал.
- А как надо было сказать?
- Надо было сказать 'люблю'
- Ну хорошо, люблю.
- Отлично!
- Ты довольна?
- Нет!



Основные параметры транзистора HGTP12N60D1 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTP12N60D1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
75W600V1.9V600V±20V21A150°C100/430nS -

Производитель: HARRIS
Сфера применения: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE IGBT
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора HGTP12N60D1

Общий вид транзистора HGTP12N60D1.Цоколевка транзистора HGTP12N60D1.
Общий вид транзистора HGTP12N60D1 Цоколевка транзистора HGTP12N60D1

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора HGTP12N60D1

Коллективный разум. Дополнения для транзистора HGTP12N60D1.

Вы знаете больше о транзисторе HGTP12N60D1, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора HGTP12N60D1.
Добавить рисунок транзистора HGTP12N60D1.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора HGTP12N60D1.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru