Высказывания: 'Мы должны начать новую эру сотрудничества, основанную на взаимных интересах и взаимном уважении', отметив при этом, что прежняя политика вызывала в мире 'рефлексивный антиамериканизм' Президент США Барак Абама. Открытие 64-ой сессии Генеральной ассамблеи ООН. Сентябрь 2009г.
Основные параметры транзистора HGT1S7N60C3DS9A (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGT1S7N60C3DS9A с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
60W
600V
2V
600V
±20V
14A
150°C
8.5/350nS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: UFS Series N-Channel IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGT1S7N60C3DS9A
Общий вид транзистора HGT1S7N60C3DS9A.
Цоколевка транзистора HGT1S7N60C3DS9A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.