Высказывания: Если бы строители строили здания так же, как программисты пишут программы, первый залетевший дятел разрушил бы цивилизацию. Второй закон Вейнберга
Основные параметры транзистора IXSH50N60BS (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSH50N60BS с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
250W
600V
2.5V
600V
±20V
75A
150°C
70/150nS
3850pF
Производитель: IXYS Сфера применения: HIGH SPEED IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXSH50N60BS
Общий вид транзистора IXSH50N60BS.
Цоколевка транзистора IXSH50N60BS.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.