Высказывания: 3. Если назначен специальный человек для контроля за чистотой исходной информации, то найдется изобретательный идиот, который придумает способ, чтобы неправильная информация прошла через этот контроль. Постулаты Трумэна по программированию
Основные параметры транзистора MGB15N35CLT4 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора MGB15N35CLT4 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
136W
380V
1.8V
380V
22V
15A
175°C
13/1µS
1000pF
Производитель: ON Semi Сфера применения: Internally Clamped IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MGB15N35CLT4
Общий вид транзистора MGB15N35CLT4.
Цоколевка транзистора MGB15N35CLT4.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.