Высказывания: 3. Число ошибок, которые нельзя обнаружить, бесконечно, в противовес числу ошибок, которые можно обнаружить, - оно конечно по определению. Законы ненадежности Джилба
Основные параметры транзистора HGTG30N60A4D (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTG30N60A4D с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
-
-
-
-
150°C
-
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: SMPS SERIES N-CHANNEL IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTG30N60A4D
Общий вид транзистора HGTG30N60A4D.
Цоколевка транзистора HGTG30N60A4D.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.