Высказывания: Если написанная программа сработала правильно, то это значит, что во время ее работы выполнилось четное число ошибок или программист не понял задание. Свойство четности ошибок
Основные параметры транзистора GT80J101 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора GT80J101 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
3.5V
-
15V
80A
150°C
0.35µS
-
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: IGBT for Current Res. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора GT80J101
Общий вид транзистора GT80J101.
Цоколевка транзистора GT80J101.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.