Высказывания:
Неизбежным результатом расширяющихся связей между различными уровнями иерархии является возрастающая область непонимания.
Закон связей
Основные параметры транзистора APT20GF120BRD (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора APT20GF120BRD с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
200W
1200V
-
1200V
±20V
20A
150°C
-
-
Производитель: Advanced Power Сфера применения: - Популярность: 394 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора APT20GF120BRD
Общий вид транзистора APT20GF120BRD.
Цоколевка транзистора APT20GF120BRD.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
