Высказывания: Мне трудно представить себе, какая может быть 'личная свобода' у безработного, который ходит голодным и не находит применения своего труда. Настоящая свобода имеется только там, где уничтожена эксплуатация, где нет угнетения одних людей другими, где нет безработицы и нищенства, где человек не дрожит за то, что завтра может потерять работу, жилище, хлеб. Только в таком обществе возможна настоящая, а не бумажная, личная и всякая другая свобода. Сталин И.В. (Из беседы с председателем газетного объединения Роем Говардом 1 марта 1936 г.: И.В.Сталин. Сочинения. Т. 14. — Москва: Писатель. 1997. — С. 110)
Основные параметры транзистора IXGK120N60B (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGK120N60B с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
560W
600V
-
600V
±30V
76A
175°C
160nS
11000pF
Производитель: IXYS Сфера применения: HIGH SPEED TYPES Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGK120N60B
Общий вид транзистора IXGK120N60B.
Цоколевка транзистора IXGK120N60B.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.