Биполярный транзистор IRG4BC20FD с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
Как-то у речки отдыхали две пары, палатка, костер, много самогона.
Девушки легли спать. Один парень говорит другому:
- Через поле, есть пасека, пойдем, стырим один улей, мёду поедим.
Пошли. Пришли. Сторож спит. Схватили они первый попавшийся маленький улей, потащили через поле, потихонечку, чтобы пчёл не побеспокоить. К ним привязалась собака, никак отогнать не могут. Шли, шли, половину пути прошли. Устали. Решили оставить улей и забрать его утром.
Наутро приходят они, уже протрезвевшие за ульем. Смотрят... а это собачья будка, и собака сидит.. на цепи.. на них офигевшими глазами смотрит.



Основные параметры транзистора IRG4BC20FD (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IRG4BC20FD с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
60W600V2V--9A150°C3-10KHz -

Производитель: IRF
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора IRG4BC20FD

Общий вид транзистора IRG4BC20FD.Цоколевка транзистора IRG4BC20FD.
Общий вид транзистора IRG4BC20FD Цоколевка транзистора IRG4BC20FD

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора IRG4BC20FD

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRG4BC20FD.

Вы знаете больше о транзисторе IRG4BC20FD, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора IRG4BC20FD.
Добавить рисунок транзистора IRG4BC20FD.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора IRG4BC20FD.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru