Высказывания: Языковый редактор, призванный уберечь программиста от синтаксических ошибок, позволяет вносить в программу весьма хитроумные ошибки, которые не удается обнаружить ни транслятором, ни отладчиком.Обычный текстовый редактор таких возможностей не предоставляет.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJL1302AG
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJL1302AG . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200000
260
260
5
25000
-65+150
30000000
600
45-150
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJL1302AG:
Корпус: TO-264. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJL1302AG
Общий вид транзистора MJL1302AG.
Цоколевка транзистора MJL1302AG.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.