Высказывания:
В любом наборе исходных данных самая надежная величина, не требующая никакой проверки, является ошибочной.
Третий закон Финейгла
Основные параметры биполярного высокочастотного pnp транзистора 2DA1201Y
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2DA1201Y . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1500
120
120
7
3000
-55+150
160000000
15
120-240
Производитель: Diodes inc. Сфера применения: Популярность: 291 Дополнительные параметры транзистора 2DA1201Y:
Корпус: SOT-89. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2DA1201Y
Общий вид транзистора 2DA1201Y.
Цоколевка транзистора 2DA1201Y.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
