Высказывания:
Мужество - не в силе руки и не в искусстве владения мечом, мужество - в том, чтобы владеть собой и быть справедливым.
Саади
Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора MJD117G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора MJD117G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
100
100
5
4000
-65+150
25000000
200
200-12000
Производитель: ON Сфера применения: Популярность: 220 Дополнительные параметры транзистора MJD117G:
Корпус: TO-252. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJD117G
Общий вид транзистора MJD117G.
Цоколевка транзистора MJD117G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
