Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора MJD127T4G.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...







Высказывания:
Мне трудно представить себе, какая может быть 'личная свобода' у безработного, который ходит голодным и не находит применения своего труда. Настоящая свобода имеется только там, где уничтожена эксплуатация, где нет угнетения одних людей другими, где нет безработицы и нищенства, где человек не дрожит за то, что завтра может потерять работу, жилище, хлеб. Только в таком обществе возможна настоящая, а не бумажная, личная и всякая другая свобода.
Сталин И.В. (Из беседы с председателем газетного объединения Роем Говардом 1 марта 1936 г.: И.В.Сталин. Сочинения. Т. 14. — Москва: Писатель. 1997. — С. 110)




Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора MJD127T4G

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора MJD127T4G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
20000100100516000-65+1504000000 300100-12000

Производитель: ON
Сфера применения:
Популярность: 311
Дополнительные параметры транзистора MJD127T4G: Корпус: TO-252.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора MJD127T4G

Общий вид транзистора MJD127T4G.Цоколевка транзистора MJD127T4G.
Общий вид транзистора MJD127T4G Цоколевка транзистора MJD127T4G

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-03-01 09:44:16.


Аналоги транзистора MJD127T4G


Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJD127T4G.

Вы знаете больше о транзисторе MJD127T4G, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора MJD127T4G.
Добавить рисунок транзистора MJD127T4G.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора MJD127T4G.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2018. Параметры транзисторов. 7526.