Высказывания: Кто не отдается науке страстно, тот, в лучшем случае, становится педагогом. Из самых недр своего существа надо подходить к вещам. Всегда - всегда страсть должна служить импульсом к работе. Стефан Цвейг.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJH11022G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJH11022G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150000
250
250
5
30000
-65+150
3000000
400
100-15000
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJH11022G:
Корпус: TO-218,TO-247. Ton 1350nS, Toff 6900nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJH11022G
Общий вид транзистора MJH11022G.
Цоколевка транзистора MJH11022G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
