Высказывания: Есть вещи, которые мы не можем знать, но невозможно узнать, что это за вещи. Высказывание Яффа
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MMBTA63LT1G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MMBTA63LT1G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
300
30
30
10
500
-55+150
125000000
-
5000
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MMBTA63LT1G:
Корпус: SOT-23. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBTA63LT1G
Общий вид транзистора MMBTA63LT1G.
Цоколевка транзистора MMBTA63LT1G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.