Высказывания: Даже если ваше объяснение настолько ясно, что исключает всякое ложное толкование, все равно найдется человек, который поймет вас неправильно. Следствия из закона Чизхолма
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора INC6005AC1
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора INC6005AC1 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200
400
400
7
100
-55+150
70000000
3.3
82-280
Производитель: IDC Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора INC6005AC1:
Корпус: SOT-23. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора INC6005AC1
Общий вид транзистора INC6005AC1.
Цоколевка транзистора INC6005AC1.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.