Юмор: - Итак, молодой человек, где хотели бы служить? - В ПВО! В ПВО МЕНЯ ВОЗЬМИТЕ! Я В ПВО СЛУЖИТЬ ХОЧУ!!! - А с чего это у вас нервишки так сильно расшатаны, что кричите так? Со слухом еще смотрю проблемы начинаются... - Я ВОЗЛЕ АЭРОПОРТА ЖИВУ. В ПВО МЕНЯ ВОЗЬМИТЕ! В ПВО!
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MJE170G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MJE170G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
12500
60
40
7
6000
-65+150
50000000
30
12-250
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJE170G:
Корпус: TO-225. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE170G
Общий вид транзистора MJE170G.
Цоколевка транзистора MJE170G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.