Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора bc32740 (ВС32740).

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Никогда не принимайте решения сами, если можно заставить решить кого-либо другого.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора bc32740 (ВС32740)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора bc32740 (ВС32740) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
625-45-5-800150100000000 12250/630

Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора bc32740 (ВС32740): Комплементарная пара - bc337. HFe: bc32716(ВС327-16)-100/250; bc32725(ВС327-25)- 160/400.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора bc32740 (ВС32740)

Общий вид транзистора bc32740 (ВС32740).Цоколевка транзистора bc32740 (ВС32740).
Общий вид транзистора bc32740 (ВС32740) Цоколевка транзистора bc32740 (ВС32740)

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-11-05 11:51:06; Пользователь: Д..


Аналоги транзистора bc32740 (ВС32740)


Коллективный разум. Дополнения для транзистора bc32740 (ВС32740).

Вы знаете больше о транзисторе bc32740 (ВС32740), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора bc32740 (ВС32740).
Добавить рисунок транзистора bc32740 (ВС32740).
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора bc32740 (ВС32740).

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru