Высказывания:
Грубость - это духовная слабость.
Мария фон Эбнер-Эшенбах
Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-B
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
120000
400
9
15000
150
4000000
15/50
Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD Сфера применения: Популярность: 4291 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 3DD4515-O-AN-N-B
Общий вид транзистора 3DD4515-O-AN-N-B.
Цоколевка транзистора 3DD4515-O-AN-N-B.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2014-11-10 06:46:18; Пользователь: Дмитрий.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
