Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора HLD123DM.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...







Высказывания:
Если могут случиться несколько непpиятностей, они пpоисходят в самой неблагопpиятной последовательности.
Расшиpенный закон Меpфи




Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора HLD123DM

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора HLD123DM . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
30000700400918001501000000 8/40

Производитель: HF-SEMI (SHENZHEN HUAFENG INDUSTRY CO., LTD)
Сфера применения:
Популярность: 8176
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора HLD123DM

Общий вид транзистора HLD123DM.Цоколевка транзистора HLD123DM.
Общий вид транзистора HLD123DM Цоколевка транзистора HLD123DM

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-11-10 08:24:19; Пользователь: Дмитрий.


Аналоги транзистора HLD123DM
Спецификация (datasheet) транзистора HLD123DM


Коллективный разум. Дополнения для транзистора HLD123DM.

Вы знаете больше о транзисторе HLD123DM, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора HLD123DM.
Добавить рисунок транзистора HLD123DM.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора HLD123DM.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2018. Параметры транзисторов. 7527.