Юмор: Встречаются два друга. Один другому: - Ой, Ося! Я не пойму, шо всем так нравится этот Басков? Шепелявит, не в такт попадает, хрипит... - Изя, а ты слушал Баскова? - Нет, мне Рабинович напел.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXTN19020CFF
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXTN19020CFF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1500
20
15000
-
150000000
-
65-200
Производитель: Diodes inc. Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора ZXTN19020CFF:
Корпус: SOT-23F. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора ZXTN19020CFF
Общий вид транзистора ZXTN19020CFF.
Цоколевка транзистора ZXTN19020CFF.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.