Высказывания: Отсутствие мыслей не мешает быть единомышленниками. /Александр Фюрстенберг/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора КТ896А, КТ896Б
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора КТ896А, КТ896Б . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
125000
90(А), 60(Б)
5
20000
-60+125
1000000
700
750-18000
Производитель: Россия Сфера применения: Линейные и переключающие схемы Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ896А, КТ896Б
Общий вид транзистора КТ896А, КТ896Б.
Цоколевка транзистора КТ896А, КТ896Б.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
