Высказывания: Если тень человека идет впереди его, это не значит еще, что человек идет за своею тенью. Ключевский Василий Осипович
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJV992
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJV992 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
350000
120
120
5
50
-
50000000
-
200-800
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FJV992:
Корпус: SOT-23. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FJV992
Общий вид транзистора FJV992.
Цоколевка транзистора FJV992.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.