Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора FJV4101R.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...







Высказывания:
Я о воспитании никогда не писал, потому что полагаю, что воспитание сводится к тому, чтобы самому жить хорошо, то есть самому двигаться, воспитываться, только этим люди влияют на других, воспитывают их. И тем более на детей, с которыми связаны. Быть правдивым и честным с детьми, не скрывая от них того, что происходит в душе, есть единственное воспитание.
Педагогика же есть наука о том, каким образом, живя дурно, можно иметь хорошее влияние на детей, вроде того есть наша медицина – как, живя противно законам природы, все-таки быть здоровым.
Науки хитрые и пустые, никогда не достигающие своей цели. Все трудности воспитания вытекают из того, что родители, не только не исправляя своих недостатков, но и оправдывая их в себе, хотят не видеть эти недостатки в детях.
Толстой Лев Николаевич




Основные параметры биполярного высокочастотного pnp транзистора FJV4101R

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора FJV4101R . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
200505010100-200000000 -20

Производитель: FairChild (Samsung)
Сфера применения:
Популярность: 150
Дополнительные параметры транзистора FJV4101R: Корпус: SOT-23.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора FJV4101R

Общий вид транзистора FJV4101R.Цоколевка транзистора FJV4101R.
Общий вид транзистора FJV4101R Цоколевка транзистора FJV4101R

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-01-14 18:36:24.


Аналоги транзистора FJV4101R


Коллективный разум. Дополнения для транзистора FJV4101R.

Вы знаете больше о транзисторе FJV4101R, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора FJV4101R.
Добавить рисунок транзистора FJV4101R.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора FJV4101R.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2018. Параметры транзисторов. 7526.