Высказывания: Теперь детей выращивает ТВ. Выращивается молодняк, уже готовый к использованию, поколение-бройлер. Можно жарить сразу, без всяких уговоров, — уже все ощипано, выпотрошено, промыто, голова отрублена. Столкновений нет. Нет атаки на идеалы юности. Нет импульсов вверх.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора FJI5603D
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора FJI5603D . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
100000
1600
800
12
3000
-
5000000
-
20-35
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FJI5603D:
Корпус: TO-262. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FJI5603D
Общий вид транзистора FJI5603D.
Цоколевка транзистора FJI5603D.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.