Высказывания:
Основа всякой мудрости есть терпение. /Платон/
Основные параметры биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC5585
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC5585 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
15
12
6
500
-55+150
320000000
7.5
270-680
Производитель: GME Galaxy Microelectronics Сфера применения: Популярность: 216 Дополнительные параметры транзистора 2SC5585:
Корпус: SOT-416. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5585
Общий вид транзистора 2SC5585.
Цоколевка транзистора 2SC5585.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
