Высказывания:
Если назначается специальный человек для контроля за чистотой исходной информации, то найдется изобретательный идиот, который придумает способ, чтобы неправильная информация прошла через этот контроль.
Основные параметры биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC5585
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC5585 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
15
12
6
500
-55+150
320000000
7.5
270-680
Производитель: GME Galaxy Microelectronics Сфера применения: Популярность: 196 Дополнительные параметры транзистора 2SC5585:
Корпус: SOT-416. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5585
Общий вид транзистора 2SC5585.
Цоколевка транзистора 2SC5585.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
