Высказывания: Всегда, прежде чем может быть возведено что-то новое, должен быть поколеблен авторитет уже существующего. Стефан Цвейг.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора DTA124EE
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора DTA124EE . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
50
50
10
100
-55+150
250000000
-
60
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора DTA124EE:
Корпус: SOT-416,SOT-523. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора DTA124EE
Общий вид транзистора DTA124EE.
Цоколевка транзистора DTA124EE.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.